編號(hào)：FTJS10204
篇名：SiC單晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)模擬及結(jié)構(gòu)分析
作者：李嘉煒 沈曉宇 王黎夫 葉國(guó)偉
關(guān)鍵詞： SIC 物理氣相傳輸法 半導(dǎo)體 熱場(chǎng)模擬 缺陷
機(jī)構(gòu)： 浙江東尼電子股份有限公司
摘要： 基于有限元法數(shù)值模擬,對(duì)SiC籽晶生長(zhǎng)面上的徑向溫度梯度和沿石墨坩堝中心軸的軸向溫度梯度進(jìn)行模擬計(jì)算,使用感應(yīng)加熱物理氣相傳輸法制備了6 英寸的大尺寸SiC單晶,對(duì)晶體樣品進(jìn)行了物相、應(yīng)力和缺陷的表征與研究。研究結(jié)果表明:減薄坩堝壁厚和優(yōu)化生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)后的熱場(chǎng)對(duì)改善晶體熱應(yīng)力、降低晶體內(nèi)部缺陷有明顯效果。因此,大尺寸、高質(zhì)量碳化硅單晶體材料的生長(zhǎng)已經(jīng)成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的研究熱點(diǎn)。
