編號：CYYJ03890
篇名：二維MoSi2N4/WSe2異質結的第一性原理研究
作者：梁前 謝泉
關鍵詞： MoSi2N4 WSe2
機構： 貴州大學大數(shù)據(jù)與信息工程學院新型光電子材料與技術研究所
摘要： 實驗上新合成的MoSi2N4(MSN)由于其獨特的七原子層結構和電子特性引起了人們的廣泛關注.本文搭建了一種由二維MSN與二維WSe2(WS)垂直堆垛而成的二維MSN/WS異質結并基于第一性原理計算對其電子性質進行了計算,其表現(xiàn)出直接間隙半導體和I型能帶排列的特性,具有1.46 eV的帶隙.在異質結界面處存在一個由電荷耗盡層MSN指向電荷積累層WS微弱的內(nèi)建電場.最后,通過施加雙軸應變對二維MSN/WS異質結進行調控.發(fā)現(xiàn)在正雙軸應變的作用下,MSN/WS異質結保持了原來直接帶隙半導體和I型能帶排列特性;在負雙軸應變作用下,MSN/WS異質結由原來的直接帶隙半導體轉變?yōu)殚g接帶隙半導體,當施加的負雙軸應變達到-6%與-8%時,I型能帶排列轉變?yōu)棰蛐湍軒帕小?/p>
