編號：FTJS10346
篇名：氮摻雜工藝以及退火處理對直拉法單晶硅的影響
作者：熊歡 陳亞 芮陽 伊冉 蔡瑞 王黎光 楊少林
關鍵詞： CZ硅 缺陷 氮摻雜 氧沉淀物 空洞
機構： 寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司寧夏半導體級硅晶圓材料工程技術研究中心 北方民族大學材料科學與工程學院寧夏硅靶及硅碳負極材料工程技術研究中心
摘要： 隨著集成電路的飛速發(fā)展,要求超大規(guī)模集成電路用硅片具有更少的晶格缺陷及更低的有害雜質含量。因此,在晶體生長和器件制造過程中,必須對缺陷進行很好地控制,缺陷在硅材料的質量控制中起著關鍵作用。近年來通過氮摻雜控制缺陷動力學并改變缺陷的演變已被廣泛應用于直拉法單晶硅中。本文以氮摻雜技術為基礎,介紹了氮摻雜劑的基本性質及其與CZ硅中點缺陷的相互作用,氮摻雜對氧沉淀物、空洞的影響,以及退火處理對晶體原生顆粒、體微缺陷等的影響。
