編號(hào)：NMJS09046
篇名：Bi2(Se0.53Te0.47)3納米線的制備及其圓偏振光致電流效應(yīng)
作者：馮世尊 俞金玲
關(guān)鍵詞： Bi2(Se0.53Te0.47)3納米線 拓?fù)浣^緣體 化學(xué)氣相沉積 圓偏振光致電流效應(yīng)
機(jī)構(gòu)： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院
摘要： 采用化學(xué)氣相沉積法制備Bi2(Se0.53Te0.47)3納米線,利用掃描電子顯微鏡和X射線能譜儀對(duì)其進(jìn)行表征,并研究樣品的圓偏振光致電流效應(yīng)(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激發(fā),分別測(cè)試激光入射面垂直于納米線和平行于納米線時(shí)的CPGE電流.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,測(cè)得的CPGE電流主要來(lái)自納米線的拓?fù)浔砻鎽B(tài).激光垂直入射納米線時(shí)的CPGE電流不為0,說(shuō)明CPGE電流來(lái)源于納米線能帶的六角翹曲效應(yīng).本研究測(cè)得的Bi2(Se0.53Te0.47)3納米線的CPGE電流比文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)的Bi2(Te0.23Se0.77)3納米線增大2倍以上,這是因?yàn)門e組分的增加不但使得費(fèi)米能級(jí)更加靠近狄拉克點(diǎn),還降低了納米線中載流子復(fù)合的概率,二者共同作用,使得CPGE電流增大。
