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硼磷烯量子點的電子結構和光學性質研究

編號:CYYJ04012

篇名:硼磷烯量子點的電子結構和光學性質研究

作者:王乃曄 陳橋

關鍵詞: 硼磷烯 量子點 緊束縛近似方法 電子結構和光學性質 電場和磁場

機構: 湖南工程學院計算科學與電子學院

摘要: 采用緊束縛近似方法對鋸齒狀六邊形硼磷烯量子點在平面電場和垂直磁場調控下的電子結構和光學性質進行了研究.研究表明,硼磷烯量子點作為直接帶隙半導體,在無外加電場和磁場作用時,能隙不隨尺寸的改變而變化.在平面電場調控下,能隙隨電場強度的增加逐漸減小直至消失,平面電場方向幾乎不會對硼磷烯量子點體系產(chǎn)生影響,且隨量子點尺寸的增大,能隙消失所需電場強度逐漸減小.在垂直磁場調控下,表現(xiàn)為體態(tài)的能級在磁場作用下形成朗道能級,而能隙邊緣處的朗道能級近似為一個平帶,不隨磁通量的改變而變化,態(tài)密度主要分布于朗道能級處.另外,垂直磁場作用下的光吸收主要是由朗道能級之間的躍遷引起的。

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