編號(hào)：FTJS10559
篇名：氫氧化鎂的制備及機(jī)理研究進(jìn)展
作者：王美佳 白麗梅 馬玉新 趙留成 李紹英 程子朦
關(guān)鍵詞： 鎂資源 氫氧化鎂 形貌 晶體生長(zhǎng)
機(jī)構(gòu)： 華北理工大學(xué)礦業(yè)工程學(xué)院
摘要： 氫氧化鎂是重要的鎂基礦物材料,是實(shí)現(xiàn)鎂資源高值化利用的重要途徑。然而,氫氧化鎂的形貌變化受制備原料、方法及條件的影響,直接影響著氫氧化鎂的應(yīng)用。因此,對(duì)物理粉碎法、直接沉淀法、氧化鎂水化法等制備方法的制備工藝及優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了詳細(xì)分析,指出氫氧化鎂具有熱穩(wěn)定性高、比表面積大等特點(diǎn),分析了氫氧化鎂形貌與其作為高分子材料阻燃、重金屬?gòu)U水吸附處理及染料廢水降解等不同途徑應(yīng)用之間的關(guān)聯(lián),以期為氫氧化鎂的更多潛在應(yīng)用提供借鑒。提出了在氫氧化鎂晶體生長(zhǎng)過程中,可以通過添加晶面調(diào)控劑、摻雜陽離子等方式改變晶面生長(zhǎng)習(xí)性,而且溶液過飽和度變化也會(huì)對(duì)晶體成核和生長(zhǎng)產(chǎn)生促進(jìn)或抑制作用,從而影響氫氧化鎂的形態(tài)。指出工業(yè)化生產(chǎn)高純度和特定形貌的氫氧化鎂仍面臨著挑戰(zhàn),不同條件下氫氧化鎂晶體缺陷形成機(jī)制尚不明確,仍需進(jìn)一步研究晶體中可能存在的位錯(cuò)、間隙缺陷等類型,以提高氫氧化鎂的性能、擴(kuò)展鎂資源高值化利用領(lǐng)域。
