編號：CYYJ04290
篇名：藍(lán)寶石/石墨烯襯底上藍(lán)光LED外延生長及光電性能
作者：林易展 熊飛兵 李森林 董雪振 高默然 丘金金 周凱旋 李明明
關(guān)鍵詞： 藍(lán)寶石/石墨烯 晶體質(zhì)量 效率下降 散熱性能
機(jī)構(gòu)： 廈門理工學(xué)院 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司 北京石墨烯研究所
摘要： 對在藍(lán)寶石/石墨烯襯底上生長LED(Light-emitting diodes)外延的方法及其對光電性能的改善進(jìn)行了探究。研究結(jié)果表明,藍(lán)寶石/石墨烯襯底具有更低的位錯密度,螺位錯和刃位錯比傳統(tǒng)樣品分別減少了15.3%和70.8%。拉曼測試也表明藍(lán)寶石/石墨烯樣品受到的壓應(yīng)力小于傳統(tǒng)樣品。元素分析結(jié)果表明,有源區(qū)量子阱生長情況較好,In和Ga元素均勻地分布在量子阱中,未發(fā)生相互擴(kuò)散的情況。光電性能測試結(jié)果發(fā)現(xiàn),無論是在工作電流還是飽和電流下,藍(lán)寶石/石墨烯樣品的LOP(Light output power)都大于傳統(tǒng)樣品,工作電流和飽和電流下LOP分別增加了18.4%和36.7%,并且效率下降較傳統(tǒng)樣品有所改善,相較于傳統(tǒng)樣品效率下降減少了9.9%。從變溫測試結(jié)果可以得到,藍(lán)寶石/石墨烯樣品也表現(xiàn)出較低的熱阻、結(jié)溫和較小的波長偏移,其平均熱阻比傳統(tǒng)樣品低了5.14℃/W。結(jié)果表明,在藍(lán)寶石/石墨烯襯底上外延生長的樣品對器件的光電性能和散熱性能等都有較大的提升。
