編號：CYYJ04304
篇名：摻硼濃度與沉積氣壓對Ti/BDD微觀結(jié)構(gòu)和電化學(xué)氧化性能影響規(guī)律研究
作者：劉典宏 尹釗 陳峰磊 馬莉 李靜 魏秋平
關(guān)鍵詞： 鈦基硼摻雜金剛石薄膜電極 電化學(xué)氧化 摻硼濃度 沉積氣壓 四環(huán)素
機構(gòu)： 中南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 中南大學(xué)粉末冶金國家重點實驗室
摘要： 探究在熱絲化學(xué)氣相沉積生長硼摻雜金剛石的過程中,摻硼濃度與沉積氣壓對鈦基硼摻雜金剛石薄膜的微觀結(jié)構(gòu)與電化學(xué)氧化性能的影響,并以四環(huán)素作為模擬污染物進行電化學(xué)氧化降解實驗。使用掃描電子顯微鏡、拉曼光譜、紫外分光光度計以及電化學(xué)工作站對電極表面形貌、成分以及電化學(xué)性能進行表征。結(jié)果表明:隨著摻硼濃度與沉積氣壓的增大,金剛石薄膜表面晶粒明顯細化,生長速率下降;然而隨著沉積氣壓的升高,金剛石的晶粒質(zhì)量逐漸降低,但硼原子摻雜則會提高金剛石晶粒質(zhì)量;在高摻硼濃度和低沉積氣壓的條件下,金剛石薄膜表面的硼原子濃度更高;高摻硼濃度和低沉積氣壓下所生成的較大晶粒尺寸和更高硼原子濃度的硼摻雜金剛石電極具有更優(yōu)越的電化學(xué)性能、更高的降解效率以及更低的降解能耗。
