編號(hào)：FTJS106571
篇名：基于大厚度六方氮化硼中子探測(cè)器的制備
作者：劉敬潤(rùn) 曹炎 劉曉航 范盛達(dá) 王帥 陳曦 劉洪濤 劉艷成 趙江濱 何高魁 陳占國(guó)
關(guān)鍵詞： 寬禁帶半導(dǎo)體 六方氮化硼 中子探測(cè) 低壓氣相化學(xué)沉積 深紫外光電探測(cè)器
機(jī)構(gòu)： 吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院 上海應(yīng)用物理研究所 中國(guó)原子能科學(xué)研究院核技術(shù)綜合研究所 長(zhǎng)春理工大學(xué)物理學(xué)院 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
摘要： 六方氮化硼是一種中子敏感材料。介紹了使用低壓氣相化學(xué)沉積在1673K下以大約20μm/h的生長(zhǎng)速率制備了高質(zhì)量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的兩側(cè)沉積厚度為100nm的金電極,制備了垂直結(jié)構(gòu)的六方氮化硼中子探測(cè)器。該器件的電學(xué)性質(zhì)表明制備的六方氮化硼材料的遷移率壽命的乘積(μτ)為2.8×10-6cm2/V,電阻率為1.5×1014Ω·cm。在850V電壓下,該探測(cè)器對(duì)熱中子的探測(cè)效率為34.5%,電荷收集效率為60%。
