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氯代碳酸乙烯酯降膜純化方法研究

編號:FTJS106590

篇名:氯代碳酸乙烯酯降膜純化方法研究

作者:張立鵬 高維丹 林海飛 王達彤 楊旭 岳濤

關鍵詞: 氯代碳酸乙烯酯 Aspen Plus 降膜刮板蒸發(fā)器 純化 碳酸亞乙烯酯

機構: 青島科技大學山東化工研究院 山東亙元新材料股份有限公司

摘要: 以工業(yè)級氯代碳酸乙烯酯(CEC)為原料,利用Aspen Plus軟件模擬計算CEC、HCl在不同壓力、不同溫度下的飽和分壓,根據(jù)模擬計算結果以降膜刮板蒸發(fā)器為主要設備閃蒸純化CEC,去除CEC中HCl、活性氯及其他活性雜質。根據(jù)實驗結果調整純化參數(shù),并以碳酸亞乙烯酯(VC)合成收率作為純化效果評價標準,確定降膜刮板蒸發(fā)器純化CEC最佳工藝條件為閃蒸溫度70℃、5 kPa,CEC氣相純度由82%提高至85.3%,VC合成收率由65.2%提高至75.5%。

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