編號：CYYJ043223
篇名：氧化鋅共摻雜薄膜的光電性能研究
作者：李糧任 朱劉
關(guān)鍵詞： 磁控濺射 靶基距 薄膜 鋁摻雜氧化鋅 鋁鎵摻雜氧化鋅 光電性能
機(jī)構(gòu)： 廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司 國家稀散金屬工程技術(shù)研究中心
摘要： 為研究不同摻雜氧化鋅靶材制備薄膜的光電性能,采用了AZO和AGZO靶材制備薄膜樣品,研究不同靶基距下制備AZO薄膜的均勻性,同時(shí)研究了不同濺射工藝參數(shù)下的AZO、AGZO薄膜的光電性能,此外,通過對比分析AZO、AGZO薄膜之間的性能差異,探究靶材組分改進(jìn)對薄膜性能的影響和機(jī)理。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,靶基距為9 cm沉積薄膜的厚度均勻性較好;在純氬條件制備的AZO和AGZO薄膜的方阻最低,此外,AZO和AGZO薄膜在300nm~1300 nm的較寬區(qū)域均展現(xiàn)了良好的光學(xué)透射性能,在200℃/0%O2的參數(shù)條件下,AZO和AGZO薄膜的電阻率在10-3Ω·cm量級,載流子濃度在1020cm-3量級,其中III族元素的摻雜量增大的AGZO(2.6wt%Al2O3+Ga2O3)在最佳工藝參數(shù)條件制備的薄膜的光電性能更為優(yōu)越。
