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基于InSe/MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)的超靈敏寬光譜光電探測(cè)器

編號(hào):CYYJ043324

篇名:基于InSe/MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)的超靈敏寬光譜光電探測(cè)器

作者:邢艷輝 賀雯馨 韓梓碩 關(guān)寶璐 馬海鑫 馬曉輝 韓軍 時(shí)文華 張寶順 呂偉明 曾中明

關(guān)鍵詞: 二維材料 寬帶光電探測(cè)器 光柵效應(yīng) 超靈敏

機(jī)構(gòu): 北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院光電子技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 長(zhǎng)春理工大學(xué)高功率半導(dǎo)體激光國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米加工平臺(tái)

摘要: 基于光柵效應(yīng)的二維材料垂直結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)高靈敏度和寬光譜光探測(cè)器。本文報(bào)告了一種基于硒化銦(InSe)/二碲化鉬(MoTe2)垂直異質(zhì)結(jié)構(gòu)的高靈敏度光電探測(cè)器,該探測(cè)器在365~965 nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有出色的寬光譜探測(cè)能力。頂層的InSe用作調(diào)節(jié)溝道電流的光柵層,MoTe2則用作傳輸層。通過結(jié)合兩種材料的優(yōu)勢(shì),該光電探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間為21.6 ms,比探測(cè)率在365 nm光照下可以達(dá)到1.05×1013Jones,在965 nm光照下也可達(dá)到109 Jones數(shù)量級(jí)。外量子效率可達(dá)1.03×105%,顯示出強(qiáng)大的光電轉(zhuǎn)換能力。

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