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低對(duì)稱性二維過渡金屬硫族化合物的化學(xué)氣相沉積法制備

編號(hào):FTJS106727

篇名:低對(duì)稱性二維過渡金屬硫族化合物的化學(xué)氣相沉積法制備

作者:陳蕓 張輝 羅政 毛衛(wèi)國 潘俊安 王珊珊

關(guān)鍵詞: 二維材料 低對(duì)稱性 化學(xué)氣相沉積 相調(diào)控 基底工程

機(jī)構(gòu): 湘潭大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)空天科學(xué)學(xué)院新型陶瓷纖維及其復(fù)合材料國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 長沙理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院

摘要: 1428/2000 低對(duì)稱二維材料是一種新型的納米材料,具有很少的晶格對(duì)稱操作,縱向上只有原子級(jí)厚度。在二維過渡金屬二鹵化物(TMD)體系中,1T’-MoTe2,1T’-WTe2,1T’-ReS2和1T’-ReSe2是典型的低對(duì)稱構(gòu)件。獨(dú)特的晶格對(duì)稱性使其具有豐富的各向異性物理和化學(xué)性質(zhì),在微納光子學(xué)、觸覺傳感器、各向異性邏輯器件等領(lǐng)域具有特殊的應(yīng)用前景。低對(duì)稱二維 TMD 材料的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用開發(fā)依賴于這類材料的高質(zhì)量、大尺寸和穩(wěn)定制備。因此,本文以這四種類型的材料為典型材料,首先根據(jù)金屬前驅(qū)物對(duì)它們進(jìn)行分類,并回顧了近年來低對(duì)稱二維 TMD 材料的化學(xué)氣相沉積(CVD)制備方法。根據(jù)1T ′-MoTe2在制備過程中易發(fā)生相變和1T ′-ReS2、1T ′-ReSe2與底物之間弱相互作用的特點(diǎn),介紹了1T ′-MoTe2制備過程中的相調(diào)控機(jī)理以及1T ′-ReS2和1T ′-ReSe2制備過程中的底物工程研究。最后,本文展望了低對(duì)稱二維 TMD 材料的未來挑戰(zhàn)和機(jī)遇。

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