編號(hào)：CYYJ043442
篇名：含鎵石榴石系列大晶格常數(shù)磁光襯底單晶研究進(jìn)展
作者：李泓沅 孫敦陸 張會(huì)麗 羅建喬 權(quán)聰 程毛杰
關(guān)鍵詞： 晶體生長(zhǎng) 磁光襯底 含鎵石榴石晶體 提拉法 晶格常數(shù)
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 安徽省先進(jìn)激光技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 光子器件與材料安徽省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 近年來(lái),光通信技術(shù)與集成電子器件飛速發(fā)展,以稀土鐵石榴石(RIG)為代表的磁光薄膜被視為應(yīng)用于近紅外通信窗口最具潛力的磁光材料。為了盡量減小磁光薄膜在制備過(guò)程中相關(guān)性能受到的影響,襯底材料的選擇成為關(guān)鍵。制備RIG磁光薄膜通常采用Si類(lèi)及石榴石氧化物類(lèi)作為襯底材料。RIG磁光薄膜的晶格常數(shù)一般在12.4左右,含鎵類(lèi)石榴石氧化物單晶襯底基片與其晶格常數(shù)相近,具有大晶格常數(shù)特性,是其合適的襯底材料之一。但是,由于原料氧化鎵高溫易揮發(fā),使含鎵類(lèi)石榴石單晶制備成為一直以來(lái)關(guān)注和討論的熱點(diǎn)。深入研究含鎵類(lèi)石榴石襯底單晶有望促進(jìn)新一代磁光器件的發(fā)展。本文綜述了在含鎵類(lèi)石榴石系列單晶中,氧化物磁光襯底單晶的研究進(jìn)展,總結(jié)了本團(tuán)隊(duì)在該類(lèi)晶體生長(zhǎng)、晶體結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)等方面的研究工作,展望了該類(lèi)晶體的研究發(fā)展趨勢(shì)。
