編號(hào)：FTJS106902
篇名：異面結(jié)構(gòu)雪崩GaAs光導(dǎo)開關(guān)的制備及特性測(cè)試
作者：楊迎香 楊向紅 朱章杰 黃嘉 李昕 胡龍
關(guān)鍵詞： 砷化鎵 光導(dǎo)開關(guān) 暗態(tài)泄漏電流 輸出特性 壽命
機(jī)構(gòu)： 西安交通大學(xué)微電子學(xué)院 西安交通大學(xué)電子信息工程學(xué)院
摘要： 雪崩砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)(PCSS)因其超快開關(guān)速度、低觸發(fā)抖動(dòng)、光電隔離、高功率容量、高重復(fù)頻率以及器件結(jié)構(gòu)靈活的特點(diǎn),得到廣泛應(yīng)用。制備封裝了電極間隙為5 mm的異面結(jié)構(gòu)GaAs光導(dǎo)開關(guān),對(duì)不同偏置電場(chǎng)下(36~76 kV/cm)開關(guān)的暗態(tài)和開態(tài)的電學(xué)特性進(jìn)行了測(cè)試分析,結(jié)果表明其具有百皮秒~納秒量級(jí)的上升沿、低暗態(tài)泄漏電流(0.15~6.61μA)、高耐壓(18~38 kV)的特點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)探究了開關(guān)工作次數(shù)與輸出電壓峰值的關(guān)系,結(jié)果表明隨著工作次數(shù)的增大,輸出電壓幅值呈臺(tái)階型降低趨勢(shì),在20 kV、2 Hz條件下,開關(guān)壽命達(dá)4.0×104次。
