編號：FTJS01229
篇名：LED用YAG:Ce~(3+)熒光粉包覆SiO_2膜的研究
作者：楊茜; 邱克輝; 趙昆; 張佩聰; 李偉;
關(guān)鍵詞：溶膠法YAG:Ce3 熒光粉; SiO2膜; 包覆; 熱劣化;
機構(gòu)： 成都理工大學材料科學技術(shù)研究所; 四川新力光源有限公司;
摘要： 選用熱穩(wěn)定性好、無色透明的SiO2為包覆物,采用溶膠法,以正硅酸乙酯(TEOS)為硅源,對YAG:Ce3+熒光粉的表面進行SiO2膜的包覆研究,以解決LED熒光粉在使用過程中突出的熱劣化問題。采用X射線衍射(XRD),掃描電子顯微鏡(SEM),透射電子顯微鏡(TEM)和熒光光譜(FS)等對包膜前后的YAG:Ce3+熒光粉的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、發(fā)光性能等進行表征和分析。結(jié)果表明,YAG:Ce3+熒光粉表面上包覆了一層均勻且致密的氧化硅膜層,且對包膜后的YAG:Ce3+熒光粉的發(fā)光性能基本沒有影響,包覆效果較好。
