編號：CPJS00782
篇名：二氧化硅包覆稀土配合物Eu(TTA)_3phen制備及其熒光性能研究
作者：陶棟梁; 崔玉民; 喬瑞; 徐怡莊; 吳瑾光;
關鍵詞：稀土配合物; 二氧化硅; 熒光增強; 包覆; 熒光壽命;
機構： 阜陽師范學院化學化工學院; 稀土材料化學及應用國家重點實驗室; 北京大學化學與分子工程學院;
摘要： 將稀土配合物Eu(TTA)3phen分散于異丙醇中,通過水解正硅酸乙酯(TEOS)的方法制備了新型熒光材料二氧化硅包覆稀土配合物SiO2/Eu(TTA)3phen。熒光光譜表明二氧化硅包覆后的稀土配合物熒光強度增加了將近一倍,同時,發(fā)現(xiàn)Eu3+在617.4nm附近的發(fā)射峰變得非常尖銳,而未經(jīng)二氧化硅包覆的Eu(TTA)3phen在617.4nm附近只是非常不明顯的肩峰。這說明了二氧化硅包覆稀土配合物后,Eu(TTA)3phen的結構變得更加剛性化,從而使得熒光強度增強。熒光壽命實驗結果表明二氧化硅包覆后的稀土配合物壽命減少,這正是由于稀土配合物分子結構剛性化造成的。
