編號：NMJS00833
篇名： Sr/Si(100)表面TiSi_2納米島的掃描隧道顯微鏡研究
作者：楊景景; 杜文漢;
關鍵詞：TiSi2納米島; Sr/Si(100)表面; 掃描隧道顯微鏡;
機構： 常州工學院物理實驗中心; 中國科學技術大學微尺度物質科學國家實驗室;
摘要： 為了解半導體襯底與氧化物之間存在的相互作用,以及量子尺寸效應對不同再構體的影響,制備了1—2個原子層厚的TiSi2/Si(100)納米島,并使用掃描隧道顯微鏡(STM)表征手段詳細地研究了TiSi2/Si(100)納米島的電子和幾何特性.結果發(fā)現(xiàn):這些納米島表面顯示出明顯的金屬性;其空態(tài)STM圖像具有典型的偏壓依賴性:在高偏壓下STM圖像由三聚物形成的單胞構成,并在低偏壓下STM圖像顯示為密堆積的圖案,這些不同的圖案反映出不同能量位的態(tài)密度有明顯差異.
