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BiI_3-nylon11納米復合材料的XPS及ATR-IR分析

編號:NMJS01017

篇名:BiI_3-nylon11納米復合材料的XPS及ATR-IR分析

作者:趙志娟; 劉芬; 趙良仲;

關鍵詞:納米復合材料; X射線光電子能譜; 衰減全反射紅外光譜;

機構: 中國科學院化學研究所;

摘要: 用X射線光電子能譜法(XPS)測定了BiI3與nylon11作用生成納米復合材料后聚合物中酰胺基團的N、O內層能級電子結合能變化,同時用衰減全反射紅外光譜法(ATR-IR)研究了BiI3-nylon11復合材料中BiI3對尼龍酰胺基團之間氫鍵作用的影響.結果表明,與純nylon11聚合物相比,BiI3-nylon11納米復合材料中N1s、O1s的結合能要稍高一些;N-H伸縮振動、酰胺I譜帶、酰胺Ⅱ譜帶振動頻率在X射線照射前均發(fā)生顯著位移,而X射線照射后沒有明顯的變化,只是譜帶變寬.另一方面,無論X射線照射與否,CH2伸縮振動基本不變.實驗所得結果對于理解聚合物中氫鍵相互作用及其對復合材料的結構和性能的影響有一定意義。

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