編號：NMJS01034
篇名：Tm~(3+)摻雜的LaOF和SiO_2納米體系中熒光光譜溫度特性的研究
作者：張喜生; 晏春愉; 姚陳忠; 鄭海榮;
關(guān)鍵詞：材料; 晶相; 熒光光譜; 溫度特性; Tm3 離子; 熒光衰減;
機構(gòu)： 運城學院物理與電子工程系; 陜西師范大學物理與信息技術(shù)學院;
摘要： 研究了不同環(huán)境溫度下晶體LaOF和非晶體SiO2納米體系中摻雜Tm3+離子的熒光光譜。結(jié)果表明,在20~300 K的溫度范圍內(nèi),熒光譜線的寬度、強度以及譜線位置均隨溫度的升高而變化。發(fā)光離子的局域環(huán)境直接影響熒光光譜對環(huán)境溫度的依賴程度:SiO2中發(fā)光離子的熒光壽命受溫度影響較小,而位于晶相環(huán)境LaOF中離子的熒光壽命則顯示較強的溫度依賴特性,在脈沖激光激發(fā)條件下,研究了3H4能級熒光壽命隨溫度變化的規(guī)律。
