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均勻?qū)嶒?yàn)優(yōu)化Bi_4Si_3O_(12)粉體制備工藝

編號(hào):FTJS01411

篇名:均勻?qū)嶒?yàn)優(yōu)化Bi_4Si_3O_(12)粉體制備工藝

作者:江紅濤; 王秀峰; 于成龍; 張鐵; 楊何;

關(guān)鍵詞:均勻?qū)嶒?yàn); Bi4Si3O12粉體; SPSS數(shù)據(jù)處理;

機(jī)構(gòu): 陜西科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;

摘要: 本文運(yùn)用均勻?qū)嶒?yàn)設(shè)計(jì),研究各工藝參數(shù)(原料比,球磨時(shí)間,保溫時(shí)間,煅燒溫度等)對(duì)固相法制備Bi4Si3O12粉體的影響。通過(guò)均勻?qū)嶒?yàn)數(shù)據(jù)直觀分析,可以初步確定煅燒溫度為800~850℃,氧化鉍的揮發(fā)量可以忽略。并進(jìn)行SPSS數(shù)據(jù)處理可知,煅燒溫度對(duì)雜相數(shù)目的影響顯著,其余因素為不顯著。最終確定最佳純度的Bi4Si3O12粉體制備工藝參數(shù):Bi2O3∶SiO2(mol%)為1∶1.5,球磨時(shí)間為5 h,煅燒溫度為830℃,保溫時(shí)間3 h。

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