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石墨烯晶格缺陷可以產(chǎn)生磁場電阻效應(yīng),有望應(yīng)用于磁傳感器和磁阻隨機(jī)存儲器

編號:FTJS01481

篇名:石墨烯晶格缺陷可以產(chǎn)生磁場電阻效應(yīng),有望應(yīng)用于磁傳感器和磁阻隨機(jī)存儲器

作者:鄭冬冬;

關(guān)鍵詞:磁傳感器; 馬里蘭; 隨機(jī)存儲器; 石墨; 電阻效應(yīng); 局部磁場; 磁阻; 晶格缺陷;

機(jī)構(gòu):

摘要: <正>美國馬里蘭大學(xué)的研究人員最近發(fā)現(xiàn),在石墨烯晶格中人為地、有控制地引入晶格缺陷,可以產(chǎn)生局部磁場,這些磁場對傳導(dǎo)電子散射幾率的影響類似于參雜金屬晶體中產(chǎn)生的近藤效應(yīng)。研究人員希望這一發(fā)現(xiàn)使得石墨烯可以被用來制造磁傳感器和磁阻隨機(jī)存儲器。

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