編號：NMJS01102
篇名：化學氣相沉積法制備ZnO納米結構材料及其表征
作者：王杰;
關鍵詞：ZnO; 納米結構材料; 化學氣相沉積法; 光致發(fā)光;
機構： 山東師范大學;
摘要： 由于半導體氧化物在光學、光電、催化、壓電等領域獨特而新穎的應用,其合成和應用引起了人們的極大關注。ZnO是一種重要的直接寬帶隙半導體,室溫下禁帶寬度為3.37 eV,激子束縛能為60 meV,在制造電子和發(fā)光器件上有巨大潛力。而納米ZnO則表現(xiàn)出與體材料明顯不同的電學、磁學、光學、化學等性質。2001年王中林教授發(fā)現(xiàn)半導體氧化物納米帶后,基于氧化物的一維納米材料成了納米材料新的研究熱點。目前,研究人員對ZnO納米結構的制備和生長機理的研究有很多,已經(jīng)采用了各種不同技術制備了各種形貌的ZnO納米結構,如納米線、納米棒、納米帶、納米環(huán)等。 我們研究小組采用化學氣相沉積法成功制備出多種ZnO的納米結構,通過改變實驗溫度、恒溫時間、所用催化劑的濃度等因素,找出了各種納米結構的最佳生長條件。本文在綜述目前ZnO納米材料的基本性質、制備方法、摻雜以及應用的基礎上,闡述了各種納米結構的制備方法,并利用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)、能量散射X射線(EDX)譜、選區(qū)電子衍射譜(SAED)和光致發(fā)光(PL)光譜等測試手段詳細分析了最佳生長條件下...
