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環(huán)境折射率變化對納米線光纖場強分布的影響

編號:NMJS01135

篇名:環(huán)境折射率變化對納米線光纖場強分布的影響

作者:周寒青; 隋成華;

關(guān)鍵詞:納米線光纖; Maxwell方程; 場強分布;

機構(gòu): 浙江工業(yè)大學(xué)理學(xué)院;

摘要: 基于光學(xué)倏逝波的光纖或波導(dǎo)傳感器是目前的重要發(fā)展方向之一.從Maxwell方程出發(fā),得到由于周圍環(huán)境折射率變化而引起的光纖場強分布的變化.結(jié)果表明:納米線光纖中的光場場強分布跟環(huán)境折射率有較為敏感的關(guān)系.在相同的外界環(huán)境下,納米線光纖直徑D大的光纖纖芯內(nèi)光場能量較強,納米線光纖直徑D小的光纖纖芯內(nèi)光場能量較弱;對相同直徑D的納米線光纖,隨著外界折射率的增大,光損耗越來越強.這為納米線波導(dǎo)在光傳感領(lǐng)域的應(yīng)用提供了有力的證據(jù).

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