編號(hào)：NMJS01258
篇名：單壁空位缺陷碳納米管穩(wěn)定性的分子動(dòng)力學(xué)
作者：張興旺; 張凱旺;
關(guān)鍵詞：分子動(dòng)力學(xué)模擬; 空位缺陷; 單壁碳納米管; 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性;
機(jī)構(gòu)： 江蘇省聯(lián)合技術(shù)學(xué)院無錫交通分院機(jī)械工程系; 湘潭大學(xué)材料與光電物理學(xué)院;
摘要： 采用分子動(dòng)力學(xué)模擬研究了單壁空位缺陷碳納米管的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,結(jié)果表明,當(dāng)空位缺陷低至6.25%時(shí),碳納米管比較穩(wěn)定;當(dāng)空位缺陷在6.25%~12.50%范圍內(nèi),碳納米管不穩(wěn)定,出現(xiàn)局部熔化的現(xiàn)象;而空位缺陷大于16.67%時(shí),碳納米管會(huì)破裂蒸發(fā)而不再存在。研究還表明,碳納米管中的空位缺陷對(duì)其結(jié)構(gòu)有著極大的影響,而且少量的空位缺陷(10%左右)就可以使碳納米管發(fā)生形變扭曲。在低于3 500 K時(shí),空位缺陷對(duì)碳納米管結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性影響的主要因素是缺陷的多少,隨著溫度的變化并不顯著。
