編號：NMJS01303
篇名：錫催化生長氧化硅納米線的制備和表征
作者：倪自豐; 劉利國; 王永光;
關鍵詞：無機非金屬材料; 氧化硅納米線; 化學氣相沉積; 碳熱還原法; 光致發(fā)光;
機構： 江南大學機械工程學院;
摘要： 使用高純SnO_2粉和石墨粉混合物作為錫催化劑的來源,硅片作為硅的來源和產(chǎn)物生長的基底,用化學氣相沉積法在硅片上準備了有序排列的氧化硅納米線組成的微米結構,用掃描電子顯微鏡(SEM)、X-射線能譜儀(EDX)、透射電子顯微鏡(TEM)和選區(qū)電子衍射譜圖(SAED)對其進行了表征。結果表明:直徑為5-15μm,長度達到50-100μm的微米結構由緊密排列的非晶氧化硅納米線組成,氧化硅納米線的直徑為100-200nm,長度達到50-100μm。根據(jù)對其生長過程的分析,錫催化生長表現(xiàn)出不同于傳統(tǒng)的VLS機制,一顆錫催化劑液滴能同時誘導多根納米線的生長。根據(jù)室溫下的光致發(fā)光譜分析,非晶氧化硅納米線在395nm(3.14eV)處有一強峰,激發(fā)波長為260nm(4.77eV)。
