編號(hào)：NMJS01321
篇名：磁控濺射法制備硅納米晶體及其光電特性研究
作者：王威; 丁瀾; 馬錫英;
關(guān)鍵詞：硅納米晶體; 磁控濺射; 掃描電鏡; 紅外光譜; X射線衍射;
機(jī)構(gòu)： 蘇州科技學(xué)院數(shù)理學(xué)院物理科學(xué)與技術(shù)系;
摘要： 本文介紹了以高純硅為靶材,利用直流磁控濺射法在P型硅(111)襯底上生長(zhǎng)硅納米晶體薄膜,并在600攝氏度溫度下退火處理。應(yīng)用掃描電鏡觀察發(fā)現(xiàn)制備的硅納米晶體粒度均勻,薄膜粗糙度小。X射線衍射儀分析發(fā)現(xiàn)硅納米晶體具有(201)晶面取向生長(zhǎng)的特點(diǎn)。與塊體材料相比,硅納米晶體不僅具有良好的電學(xué)性能,還具有良好的光學(xué)性能,其吸收譜包含本征、激子和自由載流子等豐富的吸收峰。
