編號(hào)：NMJS01355
篇名：PbTe納米材料的制備及性能研究
作者：任偉;
關(guān)鍵詞：PbTe; PbTe薄膜; Cr摻雜PbTe薄膜; Cr摻雜PbTe納米顆粒;
機(jī)構(gòu)： 山東師范大學(xué);
摘要： 我們研究小組以PbTe為研究對(duì)象,做了三方面工作:在ITO(銦錫氧化物)玻璃上制備了PbTe薄膜;在硅襯底上制備了Cr摻雜的PbTe薄膜;通過物理氣相淀積的方法制備了Cr摻雜納米顆粒。利用X射線衍射(XRD)表征了晶體結(jié)構(gòu);利用原子力掃描電鏡(AFM),掃描電子顯微鏡(SEM),場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)表征了物體的表面形貌,利用傅里葉紅外吸收譜(FTIR)表征了材料的紅外吸收特性和并計(jì)算了禁帶寬度,利用四探針電阻法測(cè)試并計(jì)算了電阻率。所取得的主要研究成果如下: 1.利用磁控濺射的方法在ITO玻璃上制備了PbTe薄膜,并研究了負(fù)偏壓在磁控濺射中對(duì)PbTe薄膜制備的影響。研究結(jié)果表明適當(dāng)?shù)氖┘迂?fù)偏壓可以吸引等離子體中陽離子轟擊基片表面為薄膜生長提供額外的能量。薄膜的晶體結(jié)構(gòu),表面形貌,紅外光吸收率,電阻率都能通過施加偏壓得到有效地調(diào)整提高。并發(fā)現(xiàn)施加30V的負(fù)偏壓時(shí)制備的PbTe薄膜在各方面均具有良好的性能。 2.利用磁控濺射并通過退火的方法在Si襯底上制備Cr摻雜的PbTe薄膜,并研究了退火時(shí)間對(duì)薄膜制備的影響。研究表明,退火時(shí)間對(duì)制備Cr摻雜PbTe薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和表面形貌具有重要影響。...
