編號：FTJS01640
篇名：陽極氧化鋁工藝用于提高LED的出光效率
作者：潘嶺峰; 李琪; 劉志強; 王曉峰; 伊曉燕; 王良臣; 王軍喜;
關(guān)鍵詞：發(fā)光二極管; 氮化鎵; 陽極氧化鋁; 外量子效率; 納米圖形化表面;
機構(gòu)： 中國科學院半導體研究所;
摘要： 使用納米尺度的多孔陽極氧化鋁(anodic aluminum oxide,AAO)作為刻蝕掩膜,刻蝕氧化銦錫(indium-tin oxide,ITO),形成納米圖形化表面,對于發(fā)光二極管的出光效率有明顯的提升作用。AAO納米掩膜的制備已廣為報道,是納電子學研究中常用的模板之一,工藝簡單易行、可控性好。使用電感耦合反應離子刻蝕方法成功將納米多孔結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到ITO上,形成ITO納米結(jié)構(gòu)。納米圖形化結(jié)構(gòu)的引入使得器件有效減小了內(nèi)部的全反射,在電壓沒有大幅提高,注入電流350 mA時,光學輸出提高了7%。納米尺度粗化結(jié)構(gòu)LED與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)LED對比,提升了器件的外量子效率。
