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濺射的Ti薄膜熱氧化形成的TiO2薄膜與p+-Si形成的異質(zhì)結的電致發(fā)光

編號:FTJS01682

篇名:濺射的Ti薄膜熱氧化形成的TiO2薄膜與p+-Si形成的異質(zhì)結的電致發(fā)光

作者: 張安邦; 馬向陽; 金璐; 楊德仁;

關鍵詞:二氧化鈦; 硅; 異質(zhì)結; 電致發(fā)光;

機構: 浙江大學硅材料國家重點實驗室;

摘要: 利阿太磁控濺射法以不同條件在重摻硼硅片(p+-Si)上制備Ti薄膜,經(jīng)過一定條件下的熱氧化轉(zhuǎn)化為TiO2薄膜,從而形成TiO2/p+ -Si異質(zhì)結。研究表明:要使TiO2/p+ -Si異質(zhì)結產(chǎn)生顯著的電致發(fā)光,其中的TiO2薄膜必須呈現(xiàn)單一的銳鈦礦相,這就要求在較低的功率下濺射獲得晶粒尺寸較小的Ti薄膜。此外,TiO2的薄膜厚度需要控制在合理的范圍。文中對上述結果的物理機制進行了探討。 更多還原

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