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摻銪ATO納米粉體的制備及表征

編號(hào):NMJS01417

篇名:摻銪ATO納米粉體的制備及表征

作者:朱福良; 黃秀揚(yáng); 張霞; 余細(xì)波;

關(guān)鍵詞:摻雜Eu; 共沉淀法; ATO; 納米粉體; 稀土;

機(jī)構(gòu): 蘭州理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;

摘要: 采用化學(xué)共沉淀法制備了摻雜稀土銪的ATO納米粉體。運(yùn)用X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)等測(cè)試方法對(duì)ATO粉體進(jìn)行表征,研究了制備工藝對(duì)粉體粒徑和導(dǎo)電性能的影響,發(fā)現(xiàn)銪的摩爾摻雜比在0.5%~1%之間,600~700℃熱處理溫度下得到粉體的性能最佳,粉體的電阻率為243Ω.cm,顆粒尺寸為33.6 nm。摻雜前粉體的電阻率和顆粒尺寸分別為181Ω.cm和41.4 nm,摻雜后分別為243Ω.cm和33.6 nm。結(jié)果顯示摻雜銪會(huì)使粉體的電阻率增加,但也能降低粒徑,減少團(tuán)聚。 更多還原

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