編號：NMJS01593
篇名：SiO2納米柱陣列太陽電池減反射層設計
作者：汪禮勝； 沈楊超； 陳鳳翔； 王嘉賦；
關鍵詞：SiO2納米柱陣列； 太陽電池； 嚴格耦合波理論； 減反射； 加權(quán)平均反射率；
機構(gòu)： 武漢理工大學理學院；
摘要： 采用嚴格耦合波理論和增強透射矩陣方法,對SiO2納米柱陣列太陽電池減反射層進行了優(yōu)化設計。設計的納米柱陣列結(jié)構(gòu)在300~1 200 nm波長范圍內(nèi),可實現(xiàn)在太陽光0°~60°的入射范圍內(nèi)平均加權(quán)反射率接近1%。通過與以太陽光30°入射優(yōu)化設計的新型納米SiO2單層和SiO2/TiO2雙層減反射膜相比,發(fā)現(xiàn)優(yōu)化設計的SiO2納米柱陣列減反射層結(jié)構(gòu)在寬波段、寬入射角度范圍內(nèi)能更有效地減少光反射,從而提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率、降低生產(chǎn)成本。 更多還原
