編號(hào)：FTJS02159
篇名：磷摻雜對(duì)非晶硅薄膜結(jié)構(gòu)及光電性能的影響
作者：殷官超； 高峰； 袁文輝； 夏冬林； 趙修建；
關(guān)鍵詞：氫化非晶硅； 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積； Raman散射光譜； 暗電導(dǎo)率；
機(jī)構(gòu)： 武漢理工大學(xué)硅酸鹽材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 采用射頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法制備了磷摻雜氫化非晶硅（a-Si:H）薄膜。通過(guò)Raman散射光譜研究了不同磷烷摻雜含量薄膜的微結(jié)構(gòu),利用分光光度計(jì)對(duì)薄膜的厚度、消光系數(shù)和折射率進(jìn)行了模擬,用高阻儀測(cè)得了非晶硅薄膜暗電導(dǎo)率。結(jié)果表明:薄膜的中程有序度隨著磷摻雜量（?）（體積分?jǐn)?shù)）的增加而減小;折射率在（?）為0 8%時(shí)最大;在結(jié)構(gòu)無(wú)序度隨著（?）而增大的影響下,薄膜暗電導(dǎo)率在（?）為1%時(shí)達(dá)到最大,為8.41×10-3S/cm。
