編號：CPJS00966
篇名：濕化學法制備ATO/TiO_2復(fù)合粉體電阻率及導(dǎo)電機理的研究
作者：王貴青；
關(guān)鍵詞：濕化學法； ATO/TiO2導(dǎo)電粉； 導(dǎo)電機理；
機構(gòu)： 云南警官學院刑偵學院；
摘要： 采用濕化學共沉淀法,在TiO2顆粒表面包覆ATO制備ATO/TiO2復(fù)合粉體。研究了復(fù)合粉體的形態(tài)結(jié)構(gòu)、ATO含量對ATO/TiO2復(fù)合粉體電阻率的影響,并對導(dǎo)電機理進行了討論。研究結(jié)果表明,ATO以非晶態(tài)的形態(tài)靠范德華力與靜電引力吸附在TiO2表面,ATO含量決定TiO2顆粒表面能否形成完整的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)基本框架。滲濾閾值前(VC=0.0689),導(dǎo)電的ATO含量相對較少,ATO/TiO2復(fù)合材料電阻率大,導(dǎo)電連通網(wǎng)絡(luò)尚未大范圍形成,電阻率隨ATO含量變化而變化的速度緩慢;達到滲濾閾值(VC=0.0689-0.1562)時,導(dǎo)電連通網(wǎng)絡(luò)逐漸形成,ATO/TiO2復(fù)合材料電阻率隨ATO含量變化而急劇變化;當體積分數(shù)超過0.1562時,ATO導(dǎo)電粒子含量很高,導(dǎo)電連通網(wǎng)絡(luò)己經(jīng)大范圍形成,ATO/TiO2復(fù)合材料電阻率隨ATO含量變化而變化的速度又趨緩慢。
