編號：FTJS02303
篇名：MoSi_2添加對再結(jié)晶碳化硅(R-SiC)微觀結(jié)構(gòu)和體積電阻率的影響
作者：高朋召； 汪文祥； 公偉偉； 肖漢寧；
關(guān)鍵詞：碳化硅； MoSi2； 力學(xué)性能； 體積電阻率；
機構(gòu)： 湖南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；
摘要： 在一定粗細顆粒配比的SiC粉體中添加不同量的MoSi2,進而在2 300℃燒結(jié)得到MoSi2/R-SiC復(fù)合材料.采用SEM,XRD,力學(xué)性能測試、阻抗分析儀等方法研究了MoSi2添加量對復(fù)合材料微觀結(jié)構(gòu)、組成、力學(xué)和電學(xué)性能的影響.結(jié)果表明:在2 300℃所得的復(fù)合材料中,SiC為6H型,MoSi2轉(zhuǎn)化為六方晶型的Mo4.8Si3C0.6,其主要原因是高溫下液相MoSi2逐漸失去Si,同時與SiC發(fā)生反應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)榈凸韬康墓桡f炭化合物所致.硅鉬炭化合物主要以涂層的形式包覆在SiC顆粒的表面,隨添加量的增加,涂層逐漸增厚,當(dāng)添加量超過10%,部分Mo4.8Si3C0.6填充在SiC空隙中;復(fù)合材料的密度和表觀氣孔率隨Mo-Si2添加量的增加逐漸增加,力學(xué)性能變化不大,但體積電阻率顯著降低.同時對所得材料的導(dǎo)電機理進行了初步的探討.
