編號：FTJS00135
篇名：激光法制備高純納米SiC粉體及其產(chǎn)率
作者：戰(zhàn)可濤 線全剛等
關(guān)鍵詞：激光法 制備 SiC 產(chǎn)率 碳化硅 納米粉體 陶瓷
機(jī)構(gòu)： 北京化工大學(xué)理學(xué)院，可控化學(xué)反應(yīng)科學(xué)與技術(shù)基礎(chǔ)教育部重點實驗室，北京100029
摘要： 以硅烷SiH4和乙烯C2H4為反應(yīng)原料，采用激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積法（LICVD）制備了高純、低團(tuán)聚、近球形的理想納米SiC粉體。用化學(xué)分析、X射線衍射（XRD）、透射電子顯微鏡（TEM）及比表面積（BET）等分析測試手段對粉體進(jìn)行了表征，結(jié)果表明粉體中SiC含量高于98％，平均粒徑為20nm，晶體結(jié)構(gòu)為β-SiC，粉體產(chǎn)率大于200g/h，粉體中氧含量低于1％，且主要是表面的吸附氧；從能量和反應(yīng)氣流量兩個方面對粉體產(chǎn)率進(jìn)行了理論分析，在此基礎(chǔ)上推導(dǎo)出了粉體率公式，與實際粉體產(chǎn)率基本一致。
出處：北京化工大學(xué)學(xué)報2002,29(5).-75-78
