編號(hào)：FTJS02409
篇名：石墨烯/殼聚糖修飾玻碳電極測(cè)定水樣中痕量銅離子
作者：方艷紅； 連慧婷； 陳國(guó)華；
關(guān)鍵詞：石墨烯； 殼聚糖； 陽(yáng)極溶出伏安法； Cu2+；
機(jī)構(gòu)： 華僑大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；
摘要： 采用控制電位電解法,在玻碳電極(GCE)上進(jìn)行石墨烯(GN)/殼聚糖(CS)修飾膜的電沉積,將制得的膜修飾電極GN/CS/GCE在0.1 mol.L-1的HAc-NaAc電解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)電位下富集Cu2+,并用差分脈沖溶出伏安法測(cè)定.結(jié)果表明,該膜修飾電極對(duì)Cu2+的富集作用明顯強(qiáng)于裸GCE及CS/GCE.在優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件下,Cu2+的濃度在1.0～80.0μmol.L-1范圍內(nèi)與陽(yáng)極溶出峰電流呈線性關(guān)系,相關(guān)系數(shù)為0.999 6,檢出限為12.66 nmol.L-1,所制得的修飾電極具有較高的靈敏度和選擇性.
