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用磁控濺射法制備納米膜防輻射布的工藝探討

編號:NMJS01948

篇名:用磁控濺射法制備納米膜防輻射布的工藝探討

作者:葉毓輝; 楊志敏; 何玉蘭;

關(guān)鍵詞:磁控濺射; 納米膜; 防輻射布; 工藝;

機構(gòu): 深圳市計量質(zhì)量檢測研究院;

摘要: 利用磁控濺射技術(shù)在滌綸無紡布表面沉積納米結(jié)構(gòu)銀薄膜,以制得防輻射布。探討了靶基距、濺射功率、工作氣壓和進(jìn)氣量等工藝條件對薄膜屏蔽效能的影響。結(jié)果表明在時間規(guī)定條件下,對屏蔽效能影響大小的排序是:工作氣壓>靶基距>進(jìn)氣量>濺射功率。

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