編號：NMJS02371
篇名：低熱膨脹系數(shù)納米碳化硅/聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備與性能
作者：呂靜； 黨智敏；
關(guān)鍵詞：聚酰亞胺； 碳化硅； 熱膨脹系數(shù)； 介電性能； 熱穩(wěn)定性；
機構(gòu)： 北京化工大學(xué)化工資源有效利用國家重點實驗室； 北京科技大學(xué)化學(xué)與生物工程學(xué)院高分子科學(xué)與工程系；
摘要： 以原位分散聚合法制備出納米碳化硅/聚酰亞胺(n-SiC/PI)復(fù)合薄膜,采用SEM、熱機械分析儀(TMA)、阻抗分析儀和熱重分析(TG)研究了所制備薄膜的表面形貌、熱膨脹、介電性能及熱穩(wěn)定性。結(jié)果表明:SiC粒子均勻分散在PI基體中,復(fù)合薄膜的熱膨脹系數(shù)(CTE)隨著SiC含量的增加逐漸減小,SiC質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%時,CTE降低了11%,且復(fù)合膜的熱膨脹系數(shù)實驗值比較接近于Kerner公式的計算值。復(fù)合膜的介電常數(shù)和介電損耗隨著填料含量的變化而變化,但始終維持在較低的范圍內(nèi),并在相當(dāng)大的頻率范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。
