編號:NMJS02401
篇名:沉積時間對Au/Si-NPA電學特性的影響
作者:富笑男; 程莉娜; 羅艷偉; 劉琨; 王信春;
關(guān)鍵詞:硅納米孔柱陣列(Si-NPA); I-V曲線; Au/Si-NPA; 整流特性;
機構(gòu): 河南工業(yè)大學理學院; 河南大學特種功能材料教育部重點實驗室;
摘要: 采用浸漬法在硅納米孔柱陣列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)襯底上制得了一系列金/硅納米孔柱陣列(Au/Si-NPA),不同Au/Si-NPA所用沉積時間不同。通過測試分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲線,研究了沉積時間對Au/Si-NPA電學特性的影響。結(jié)果表明:在沉積時間小于30 min時,Au/Si-NPA的正向電流隨沉積時間的延長而減小;而當沉積時間超過30 min時,Au/Si-NPA的正向電流隨沉積時間的延長而增大。這種電學特性變化主要是由Au/Si-NPA的表面形貌及成分出現(xiàn)變化引起的。