編號(hào)：CPJS01016
篇名：Si(100)襯底上激光分子束外延制備高質(zhì)量TiN薄膜
作者：楊為家； 謝尚昇； 李雪飛； 王云云； 符躍春；
關(guān)鍵詞：TiN薄膜； N2分壓； 激光脈沖能量； 晶體結(jié)構(gòu)； 生長(zhǎng)模式；
機(jī)構(gòu)： 廣西大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院有色金屬及材料加工新技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 采用激光分子束外延(LMBE)技術(shù)在Si(100)上制備了高質(zhì)量的TiN薄膜。對(duì)N2分壓和激光脈沖能量對(duì)TiN薄膜晶體結(jié)構(gòu)、生長(zhǎng)模式和表面形貌影響的研究表明,TiN單晶薄膜呈(200)擇優(yōu)取向,在N2分壓為10-1 Pa時(shí),薄膜的結(jié)晶度高且表面平整致密。隨著N2分壓的增加,TiN(200)衍射峰向低角度移動(dòng)。激光脈沖能量顯著影響TiN薄膜的生長(zhǎng)模式,在能量為200 mJ/p時(shí),薄膜呈二維層狀生長(zhǎng)模式且具有納米級(jí)平滑表面,為制備高取向度AlN薄膜提供了很好的條件。
