編號：CPJS01081
篇名：近規(guī)整多孔硅電化學制備與表征
作者：汪婷； 黎學明； 李武林； 文軍；
關鍵詞：多孔硅； 電化學陽極氧化； 近規(guī)整；
機構： 重慶大學化學化工學院；
摘要： 電化學陽極氧化條件對多孔硅孔排列的規(guī)整度有著顯著的影響。提出了一種不需陽極氧化鋁模板或預圖案化而直接制備近規(guī)整多孔硅的電化學方法,分析了氧化時間、電解液組成、HF濃度對多孔硅形態(tài)的影響。結果表明,隨著陽極氧化時間的增加,多孔硅孔的深度逐漸加大,孔徑則呈先增大后穩(wěn)定的趨勢。當氫氟酸(40%)與N-N-二甲基甲酰胺(DMF)的質(zhì)量分數(shù)為20∶80、電流密度為75mA/cm2、氧化時間為5min時,形成的多孔硅具有近規(guī)整的孔排列。形成的孔相互之間平行且垂直于樣品表面,孔尺寸均勻一致,孔徑在1μm左右,孔深度大約為20μm。
