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半導(dǎo)體用高純超細(xì)SiC粉體的表面改性

編號(hào):FTJS02603

篇名:半導(dǎo)體用高純超細(xì)SiC粉體的表面改性

作者:李星; 鐵生年;

關(guān)鍵詞:超細(xì)粉體; 碳化硅; 表面改性; 分散性; 流動(dòng)性;

機(jī)構(gòu): 青海大學(xué)非金屬材料研究所;

摘要: 通過偶聯(lián)劑預(yù)處理、接枝聚合丙烯酸鈉兩步法對(duì)SiC粉體進(jìn)行表面改性,制備聚丙烯酸鈉接枝改性SiC粉體,并對(duì)改性粉體進(jìn)行表征,測(cè)試SiC粉體的zeta電位,討論改性對(duì)SiC粉體料漿分散穩(wěn)定性和流動(dòng)性的影響。結(jié)果表明:SiC微粉經(jīng)表面改性后并未改變?cè)糞iC微粉的物相結(jié)構(gòu),只是改變其在水中的膠體性質(zhì);微粉團(tuán)聚現(xiàn)象減少,分散性得到改善;改性SiC微粉與原始SiC微粉相比,表面特性發(fā)生很大變化,zeta電位值顯著提高,懸浮液的分散穩(wěn)定性得到明顯改善,且黏度降低。

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