編號：FTJS02677
篇名：濕化學共沉淀法制備Sb摻雜SnO2粉體導電機理研究
作者：王貴青；
關鍵詞：Sb摻雜SnO2； 電導率； 導電機理；
機構： 云南警官學院刑偵學院；
摘要： 采用化學共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3為原料,制備了Sb摻雜SnO2(ATO)微晶粉體。電導率、XPS測試表明:Sb摻雜量、煅燒溫度對Sb在SnO2晶粒中的分布、Sb價態(tài)的存在形式、電導率的變化有較大的影響。Sb摻雜SnO2(ATO)的導電機理由有效施主Sb5+和有效氧空位共同控制。當?shù)湍柗謹?shù)(小于12%)摻雜或低溫煅燒(小于500℃)時,Sb3+→Sb5+,Sb5+/Sb3+>1,Sb5+逐漸占主導地位,ATO的導電載流子濃度主要由有效施主Sb5+提供;當高摩爾分數(shù)(大于12%)摻雜或高溫煅燒(大于500℃)時,Sb5+→Sb3+,Sb5+/Sb3+≤1,Sb3+逐漸占主導地位,ATO的導電載流子濃度主要由有效氧空位提供。
