編號：NMJS02532
篇名：嵌入式碳納米管石墨電極測定燈盞花素的研究
作者：李喬麗； 楊敏； 高云濤； 放茂良； 劉瓊； 李東東；
關(guān)鍵詞：嵌入式修飾電極； 多壁碳納米管； 燈盞花素； 循環(huán)伏安法； 微分脈沖伏安法；
機(jī)構(gòu)： 云南民族大學(xué)化學(xué)與生物技術(shù)學(xué)院國家民族事務(wù)委員會(huì)-教育部共建民族藥資源化學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 制備嵌入式多壁碳納米管修飾石墨電極,利用循環(huán)伏安法(CV)研究燈盞花素在嵌入式多壁碳納米管修飾石墨電極(ESCFE)上的電化學(xué)氧化行為,結(jié)果表明,燈盞花素在修飾電極上出現(xiàn)一對明顯的準(zhǔn)可逆氧化還原峰,峰電位分別為Epa=0.17 V和Epc=0.05 V(△E=0.12 V),峰電流分別為ipa=42.79μA,ipc=40.15μA(ipa/ipc=1.06)。用差分脈沖伏安法(DPV)進(jìn)行定量分析,在4.0×10-7~1.8×10-5g/L范圍內(nèi),其濃度與氧化峰電流呈線性關(guān)系:ipa=2.4097c×10-6-0.2845(r=0.9994),檢出限為2.4×10-7g/L(3S),測定燈盞花片中燈盞花素含量,結(jié)果也較滿意,實(shí)驗(yàn)也表明,ESCFE修飾電極精密度和重復(fù)性優(yōu)于碳納米管修飾玻碳電極(MWNT/GCE),其峰電流值比MWNT/GCE提高了15倍。
