編號(hào)：NMJS02611
篇名：ECR-PECVD制備納米硅顆粒薄膜
作者：胡娟； 吳愛民； 岳紅云； 張學(xué)宇； 秦福文； 聞立時(shí)；
關(guān)鍵詞：ECR-PECVD； 太陽能電池； 薄膜； 納米硅；
機(jī)構(gòu)： 大連理工大學(xué)三束材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 大連理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院； 中國科學(xué)院沈陽金屬研究所；
摘要： 為消除紫外線對(duì)硅基薄膜太陽能電池的熱損害,并進(jìn)一步提高電池轉(zhuǎn)換效率,提出在硅基薄膜太陽能電池頂部低溫下制備一薄層納米硅薄膜.在P型(100)硅片上采用電子回旋共振微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(ECR-PECVD)技術(shù)交替沉積SiO2/Si/SiO2層,改變襯底溫度和H2流量沉積納米硅薄膜,探討低溫下直接制備納米硅薄膜的工藝.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在低溫下,薄膜以非晶相為主,局部分布有零星的網(wǎng)格狀晶化相,隨著溫度的升高,晶化趨勢增加,晶化相顆粒大小在5~8 nm;當(dāng)H2流量在20~40 mL/min變化時(shí),隨著流量的增加,薄膜晶化相增多,納米硅尺寸在5~10 nm,但H2流量超過30 mL/min后,隨著H2流量的增加,薄膜晶化率下降,納米硅顆粒減少.利用H等離子體原位刻蝕方法,可明顯改善薄膜晶化效果,經(jīng)原位刻蝕處理后納米晶顆粒尺寸及分布比較均勻,顆粒大小在6 nm左右.
