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短波紅外納米PbSe薄膜制備及光電性能研究

編號:NMJS02809

篇名:短波紅外納米PbSe薄膜制備及光電性能研究

作者:姚官生; 司俊杰; 陳鳳金; 孟超;

關(guān)鍵詞:硒化鉛; 化學(xué)浴沉淀; 光導(dǎo)探測器; 光譜響應(yīng);

機構(gòu): 中國空空導(dǎo)彈研究院;

摘要: 采用化學(xué)沉淀的方法在石英襯底上制備了短波紅外納米PbSe薄膜。XRD,SEM,TEM以及紅外透射光譜測試分析結(jié)果表明,所制備的PbSe薄膜為納米多晶薄膜,表面平整致密,薄膜的晶粒尺寸為10 nm左右,由于量子效應(yīng),薄膜吸收截止邊相對PbSe體材料藍(lán)移至1.6μm;經(jīng)過敏化、光刻及金屬化制備了PbSe單元光導(dǎo)探測器,在室溫下進(jìn)行光譜測試,其響應(yīng)波段為0.6~1.5μm。

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