編號：NMJS02876
篇名：化學鍍鎳層對直接生長碳納米管薄膜強流脈沖發(fā)射穩(wěn)定性的影響
作者：曾凡光； 李昕； 劉衛(wèi)華； 喬淑珍； 麻華麗； 張銳； 夏連勝； 諶怡； 劉星光； 張篁；
關鍵詞：碳納米管； 鎳膜； 強流脈沖發(fā)射； 提高穩(wěn)定性； 歸一化電流；
機構： 鄭州航空工業(yè)管理學院數(shù)理系； 西安交通大學電子與信息工程學院； 中國工程物理研究院流體物理研究所；
摘要： 采用酞菁鐵高溫熱解方法分別在鍍鎳和不鍍鎳硅基底上生長了碳納米管(carbon nanotube,CNT)薄膜.鎳鍍層采用化學鍍方法制備.為了研究有鎳層和無鎳層CNT(Si-CNT和Ni-CNT)薄膜陰極的強流脈沖發(fā)射穩(wěn)定性,在相同的主Marx電壓下采用二極結構對2種陰極進行重復發(fā)射實驗.當峰值脈沖電壓在1.62～1.66MV(對應場強為11.57～11.85V/μm)時,Si-CNT和Ni-CNT陰極首次發(fā)射的電流峰值分別為109.4和180.5A.通過比較2種陰極的歸一化電流,可明顯發(fā)現(xiàn)2種陰極發(fā)射穩(wěn)定性的差異.Si-CNT和Ni-CNT的峰值發(fā)射電流由100%衰減到50%所經(jīng)歷的發(fā)射次數(shù)分別約為3和11次.
