編號：CPJS01323
篇名：環(huán)氧樹脂/SiO_2空心球低介電常數(shù)材料的制備與性能研究
作者：張翠翠； 周宏； 朱君；
關鍵詞：SiO2空心球； 環(huán)氧樹脂； 介電常數(shù)； 介質損耗； 復合材料； 熱性能；
機構： 哈爾濱理工大學材料科學與工程學院；
摘要： 以正硅酸乙酯為前驅體,采用模板法制備了粒徑為50 nm左右的SiO2空心球,并將其摻入到環(huán)氧樹脂中,制備了EP/SiO2空心球納米復合材料。采用傅立葉變換紅外光譜(FT-IR)、掃描電子顯微鏡(SEM)、熱重分析(TGA)和精密阻抗分析儀分別對復合材料的化學結構、斷面形貌、熱穩(wěn)定性及介電性能進行了表征。結果表明:在摻雜量不大于10%范圍內(nèi),EP/SiO2空心球納米復合材料的介電常數(shù)隨電場頻率的升高而逐漸降低,相同測試頻率下,復合材料的介電常數(shù)隨納米SiO2含量的增加而降低;復合材料的介質損耗(tanδ)隨著頻率的增加而增加,在102～104Hz,復合材料的tanδ均大于純EP;在104～106Hz,復合材料的tanδ均小于純EP;復合材料的熱穩(wěn)定性稍有改善。
