編號(hào)：FTJS02891
篇名：拉伸過(guò)程中晶向?qū)︺y單原子線形成幾率影響的分子動(dòng)力學(xué)模擬
作者：劉云紅； 高亞軍； 王奮英； 朱鐵民； 趙健偉；
關(guān)鍵詞：銀； 原子線； 分子動(dòng)力學(xué)模擬； 鑲嵌勢(shì)； 納米線； 晶向；
機(jī)構(gòu)： 南京大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院分析化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 采用基于原子鑲嵌勢(shì)函數(shù)的分子動(dòng)力學(xué)方法,模擬了銀納米線沿[100]、[110]和[111]晶向拉伸過(guò)程中的空間原子結(jié)構(gòu)和性能.研究結(jié)果表明不同晶向的材料力學(xué)性質(zhì)有顯著不同,屈服應(yīng)力按照[111]、[110]和[100]依次降低.從形變位圖觀察到納米線在斷裂前形成單原子線排列.由900個(gè)分子動(dòng)力學(xué)模擬樣本統(tǒng)計(jì)得出沿三個(gè)晶向形成單原子線的幾率,其中沿[111]晶向形成單原子線的幾率明顯高于其他兩個(gè)晶向.本文從形變機(jī)理闡述了單原子線生成幾率與晶向的依賴關(guān)系.
